HXY3419CDF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:25A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:16mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該P溝道場效應管具備30V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，適用于中低壓電源開關場景。其導通電阻低至16mΩ，在20V柵壓下可支持25A連續漏極電流，有助于降低導通損耗并提升能效。P溝道結構使其在高邊開關應用中具備驅動簡便的優勢。器件具有良好的熱穩定性和快速開關特性，適合用于DC-DC轉換電路、便攜式設備電源管理、電池供電系統中的負載控制及逆接保護等場合，滿足對效率與可靠性要求較高的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY3419CDF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:16mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:25A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:16mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢