HXY10P10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:180mR 參數(shù)4：VGS:25V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該P溝道場效應管具有100V的漏源耐壓（VDSS）和10A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻為180mΩ（RDS(ON)），在同類P溝道器件中具備較好的導通性能與電壓裕度。柵源電壓范圍為±25V，適用于多種柵極驅(qū)動電路，提供可靠的開關(guān)控制。P溝道結(jié)構(gòu)使其在高邊開關(guān)應用中無需額外的電荷泵電路，簡化設(shè)計。常用于直流電源切換、電池供電設(shè)備的電源管理、負載開關(guān)及反向電流保護等場景，適合對電路簡潔性和系統(tǒng)效率有一定要求的電子設(shè)備。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY10P10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:180mR 參數(shù)4：VGS:25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:180mR 參數(shù)4：VGS:25V 標價：歡迎咨詢