HXY50N04D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:50A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有40V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適合中等電壓功率應用。其連續漏極電流可達50A，導通電阻低至11mΩ，在高電流工作條件下可有效降低導通損耗，提升系統效率。器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和開關特性，適用于電源轉換、電機驅動及同步整流等電路，是高性能功率開關設計的理想選擇之一。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY50N04D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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