HESDNC12VB1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:5A 參數2：VRWM:12V 參數3：CJ:10pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該器件為單通道雙向靜電與浪涌保護二極管，適用于各類電子設備中的瞬態電壓抑制。其反向工作電壓（VRWM）為12V，可承受5A的峰值脈沖電流（IPP），具備良好的瞬態能量吸收能力。結電容為10pF，適合用于中低速信號線路的保護，雙向（Bi-directional）結構可有效抑制正負雙向瞬態電壓，常用于接口電路、電源端口及數據傳輸線路的過壓防護，滿足IEC61000-4-2等電磁兼容標準要求，提升系統運行穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDNC12VB1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:5A 參數2：VRWM:12V 參數3：CJ:10pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:5A 參數2：VRWM:12V 參數3：CJ:10pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢