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              HXY20N03DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN3X3-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000/圓盤
                                                        參數1：ID:20A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:15mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管具有30V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，連續漏極電流（ID）可達20A，導通電阻（RDSON）低至15mΩ。低RDSON有助于降低導通損耗，提升功率轉換效率，適用于較高電流負載的開關控制。器件可應用于同步整流、DC-DC電壓變換、電池管理系統及大電流電源開關模塊。其高電流承載能力與良好的熱穩定性，適合集成于緊湊型電源設計和高能效電子設備中，在頻繁開關操作下仍能保持性能可靠。
                              
              
            
              
            
              
                
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