HXY1N65MIS_SOT-223_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:9500mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS）能力，可承載1A的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDSON）為9.5Ω，在同類高耐壓器件中具備合理的導通性能。適用于高壓小電流開關應用，如電源待機電路、高壓信號切換、小型化適配器及電池供電系統的電壓控制模塊。憑借高擊穿電壓特性，可用于隔離控制與直流負載驅動，滿足對安全性和空間布局有要求的低功耗功率管理場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

^{<blockquote id="yyb0p"></blockquote>}

<legend id="yyb0p"></legend>

HXY1N65MIS_SOT-223_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:9500mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-223 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:1A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:9500mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢