HXY20G04LI_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:25mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該MOSFET為N溝道與P溝道組合的功率器件，單管N溝道部分可承受20V漏源電壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS），連續漏極電流（ID）達5A，N溝道導通電阻（RDSON）低至25mΩ。雙溝道結構便于構建對稱功率控制電路，適用于雙向開關、H橋驅動及電源切換模塊。其較低的導通損耗有助于提升能效，適合集成于便攜式設備、電池供電系統及高密度電源管理單元中。器件在中等功率開關應用中具備良好的熱穩定性與響應特性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY20G04LI_SOT-23-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:25mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:5A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:25mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢