HXY4842AS_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:8.5A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該NN溝道MOSFET具有30V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，連續漏極電流（ID）可達8.5A，導通電阻（RDON）低至17mΩ，有效降低導通損耗，提升系統能效。器件適用于同步整流、電源管理單元、直流電機控制及負載開關電路。其低RDON和較高電流處理能力，使其在高效率電源轉換設計中表現優異，適合用于便攜式電子設備、嵌入式主板供電模塊及電池供電系統中的功率切換與能量分配應用，滿足對熱穩定性與空間利用率要求較高的場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY4842AS_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:8.5A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:17mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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