HXY3400BMI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:24mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有30V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），在VGS=12V時導通電阻低至24mΩ，最大連續漏極電流（ID）為5.8A。較低的RDSON有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。適用于高效率電源轉換電路，如同步整流、DC-DC變換器及電機驅動模塊。其高電流承載能力與快速開關特性，適合用于緊湊型電子設備中的功率控制場景，滿足對熱性能和空間布局有要求的應用設計。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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聯系電話：18929373249
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HXY3400BMI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:24mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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