SSM3K335R,LF(T_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:28mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這款N溝道場效應管（MOSFET）具有5.8A的連續電流能力，能夠承受最高30V的漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）為28毫歐，在導通狀態下可以有效地降低功耗，減少能量損失。柵源電壓（VGS）的最大值為12V，適合用于各種需要精確控制電流的場合。該MOSFET適用于消費電子領域，例如在適配器和充電器中的開關應用，或是作為電子設備內部的信號級驅動元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SSM3K335R,LF(T_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:28mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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