HXY4N150MI_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:150V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有150V漏源耐壓，連續(xù)漏極電流為4A，導(dǎo)通電阻低至18mΩ，適用于在20V柵源電壓下工作的功率開關(guān)電路。高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性使其適合用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源及逆變器中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。器件具備快速開關(guān)響應(yīng)能力，可有效提升系統(tǒng)能效，適用于對(duì)功率密度和熱性能有要求的電路設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括電池供電設(shè)備的主控開關(guān)、LED驅(qū)動(dòng)電路及中等功率電源模塊中的同步整流單元。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY4N150MI_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:150V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:4A 參數(shù)2：VDSS:150V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢