HXY8810ES_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:7A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道場效應管具備20V漏源電壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS），連續漏極電流達7A，導通電阻低至14mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統能效。N溝道結構在柵極電壓驅動下實現高效導通，適用于高密度電源轉換電路、同步整流模塊及便攜式電子設備的功率管理單元。其低閾值電壓特性兼容多種邏輯信號控制，適合用于DC-DC變換器、電池充放電管理及高性能開關電源中的主開關元件，滿足對效率與空間利用率要求較高的電路設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY8810ES_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:7A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:7A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢