HXY5N10SI_SOT-89_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：1000/圓盤參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:114mR 參數(shù)4：VGS:25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管具有100V漏源電壓（VDSS）和25V柵源電壓（VGS）耐壓能力，適用于中高壓開關(guān)電路。其連續(xù)漏極電流（ID）為5A，導(dǎo)通電阻為114mΩ，可在一定功率范圍內(nèi)有效降低導(dǎo)通損耗。N溝道結(jié)構(gòu)在柵極施加適當(dāng)正電壓時(shí)實(shí)現(xiàn)低阻導(dǎo)通，適合用于電源開關(guān)、直流變換器、充電管理模塊及負(fù)載控制電路。該器件具備良好的開關(guān)特性與熱穩(wěn)定性，適用于消費(fèi)類電子設(shè)備、便攜式裝置及嵌入式系統(tǒng)中的功率控制應(yīng)用，滿足對(duì)效率與可靠性有一定要求的中等功率設(shè)計(jì)場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

HXY5N10SI_SOT-89_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：1000/圓盤 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:114mR 參數(shù)4：VGS:25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-89 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：1000/圓盤參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:114mR 參數(shù)4：VGS:25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢