HXY2320MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有20V漏源電壓（VDSS）和12V柵源電壓（VGS），持續漏極電流可達8A，導通電阻低至11mΩ。極低的RDSON顯著減少導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源轉換場景。器件適合用于同步整流電路、直流電源開關、電池管理系統中的功率控制以及便攜式設備的電源模塊。20V耐壓適用于中低壓應用環境，12V驅動電壓便于與常規控制電路匹配，支持快速開關操作，滿足對電流承載能力與熱性能要求較高的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY2320MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢