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              HXY3139KI_SOT-723_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-723 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:8000/圓盤 參數1:ID:0.7A 參數2:VDSS:20V 參數3:RDON:450mR 參數4:VGS:10V 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              該場效應管為P溝道MOSFET,具有20V的漏源擊穿電壓(VDSS)和10V的最大柵源電壓(VGS),可持續承載0.7A的漏極電流(ID),導通電阻(RDON)為450mΩ。P溝道結構使其在高邊開關及電池供電電路中具備簡化驅動的優勢。器件適用于低電壓、小功率的開關應用,如便攜式設備中的電源管理、負載開關、逆變保護電路以及各類低功耗DC-DC轉換模塊,能夠在較小電流條件下實現高效的電流通斷控制與功率分配功能。

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