HXY3134AF3_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤參數1：ID:0.7A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:220mR 參數4：VGS:10V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有20V的漏源電壓（VDSS）和10V的柵源電壓（VGS），在VGS=10V時導通電阻為220mΩ，最大連續漏極電流（ID）為0.7A。低導通電阻有助于減少功率損耗，提升能效。適用于中低功率的開關電源、DC-DC轉換器及負載開關電路，適合便攜式設備與小型化電子產品中的電源管理應用。器件具備良好的熱穩定性和響應速度，可用于高頻開關場景，滿足對空間和效率有較高要求的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY3134AF3_DFN1006-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：ID:0.7A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:220mR 參數4：VGS:10V 標價：歡迎咨詢

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