HESDNC5VB1AF-C_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:45A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:15pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

該器件為單通道雙向靜電與浪涌保護器件，適用于對稱信號線路或可能存在雙向過壓的電路環境。其反向工作電壓（VRWM）為5V，具備45A的高峰值脈沖電流（IPP）承受能力，結電容（Cj）低至15pF，確保信號傳輸的完整性。雙向結構可有效抑制正負方向的瞬態過壓事件，符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-5防護標準。典型應用于高速數據接口、通信端口及便攜式電子設備的電源或信號線路，用于防護靜電放電、感應雷擊等瞬態干擾，保護敏感集成電路免受損壞，維持系統穩定運行。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDNC5VB1AF-C_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:45A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:15pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:45A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:15pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢