HESDUC3V3B1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.3pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該器件是一款單通道雙向靜電保護二極管，專為高速信號線路設計。其反向工作電壓（VRWM）為3.3V，具備0.3pF的低結電容，可有效減少信號衰減，適用于高速數據傳輸場景。器件能承受4A的峰值脈沖電流（IPP），在瞬態電壓事件中提供可靠保護。雙向結構使其適用于交流信號線路，能夠對正負向的過壓事件進行鉗位，廣泛用于通信接口、便攜式電子設備及敏感信號線路的ESD防護。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC3V3B1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.3pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.3pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢