HXY2N10I_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:2A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:220mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具備100V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，連續漏極電流為2A，導通電阻典型值為220mΩ。N溝道結構在柵極施加正向電壓時形成導電溝道，適用于低側開關應用。其參數特性適合中小功率電源轉換、電池供電設備的開關控制、LED驅動電路以及便攜式電子產品中的負載管理。較高的電壓耐受能力配合穩定的導通性能，可滿足多種直流電源切換與功率調節需求，適用于對空間和功耗敏感的電路設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY2N10I_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:2A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:220mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:2A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:220mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢