HESDNC7VB1AF-C_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:8A 參數(shù)2：VRWM:7V 參數(shù)3：CJ:20pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該器件為單通道雙向ESD保護(hù)二極管，專為敏感電子線路設(shè)計。其反向工作電壓（VRWM）為7V，能夠有效保護(hù)工作在此電壓范圍內(nèi)的信號線。具備20pF的低結(jié)電容，可減少對高速信號傳輸?shù)母蓴_，適用于數(shù)據(jù)線保護(hù)。在8A的峰值脈沖電流（IPP）下仍能可靠工作，提供穩(wěn)定的浪涌防護(hù)能力。雙向結(jié)構(gòu)可同時抑制正負(fù)極性瞬態(tài)電壓，常用于接口電路的靜電放電防護(hù)，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDNC7VB1AF-C_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：IPP:8A 參數(shù)2：VRWM:7V 參數(shù)3：CJ:20pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:8A 參數(shù)2：VRWM:7V 參數(shù)3：CJ:20pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價：歡迎咨詢