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              HESDNC3V3B1AF-B_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN1006-2L 類別:靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝:10000/圓盤 參數1:IPP:7A 參數2:VRWM:3.3V 參數3:CJ:10pF 參數4:LINE:1-channel 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              該器件為單通道雙向TVS二極管,專為低電壓信號線路的瞬態防護設計。反向工作電壓為3.3V,峰值脈沖電流可達7A,具備優異的浪涌吸收能力。結電容典型值低至10pF,適用于高速數據接口,可有效抑制信號失真。雙向結構可同時應對正負向瞬態過壓事件,響應速度快,鉗位電壓低,提供可靠的過壓保護。適用于便攜式設備、消費類電子產品中的USB、HDMI等高速數據端口及低電壓電源線路的靜電和浪涌防護。

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