HESDUC5VB1AF-D_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:3A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:0.38pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該器件為單通道雙向靜電與浪涌保護二極管，具備3A的峰值脈沖電流承受能力，可有效抑制瞬態過電壓。其反向工作電壓為5V，結電容低至0.38pF，適用于高速信號線路，能減少信號衰減與失真。雙向結構設計使其可應對正負雙向的瞬態干擾，適用于便攜式電子設備、通信接口及敏感電路的防護，為高頻、低電壓線路提供可靠的過壓保護方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC5VB1AF-D_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:3A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:0.38pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:3A 參數2：VRWM:5V 參數3：CJ:0.38pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢