HESDHC18VU2RF-A_DFN2X2-3L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2-3L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：3000/圓盤參數1：IPP:140A 參數2：VRWM:18V 參數3：CJ:900pF 參數4：LINE:2-channel 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該靜電和浪涌保護器件為單向雙通道設計，工作反向電壓為18V，適用于保護工作電壓相近的敏感電路。其峰值脈沖電流可達140A（8/20μs波形），具備較強的瞬態能量吸收能力，可有效抑制ESD及浪涌沖擊。結電容典型值為900pF，適用于對信號完整性要求不極端嚴苛的中低速接口。器件集成兩個獨立保護通道，常用于數據線、通信端口及外設接口的過壓防護，為電路提供可靠的雙向瞬態電壓抑制與接地泄放路徑，保障后續元件安全運行。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDHC18VU2RF-A_DFN2X2-3L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2-3L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：IPP:140A 參數2：VRWM:18V 參數3：CJ:900pF 參數4：LINE:2-channel 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2-3L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：3000/圓盤參數1：IPP:140A 參數2：VRWM:18V 參數3：CJ:900pF 參數4：LINE:2-channel 標價：歡迎咨詢