HXY70N07P_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:70V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具備70V漏源耐壓（VDSS）和20V柵源電壓范圍（VGS），可承載70A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至7.5mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗并提升能效。N溝道結(jié)構(gòu)提供優(yōu)良的開關(guān)特性，適用于高頻率開關(guān)電源、同步整流電路及大電流功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低電阻與高電流能力使其在緊湊型電源設(shè)計(jì)中具備良好熱穩(wěn)定性，適合用于高性能計(jì)算設(shè)備、便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊以及電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的功率控制應(yīng)用。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY70N07P_TO-220C_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:70V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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