HESDUC3V3B1GF-C_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:0.25pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該雙向ESD保護(hù)二極管專為低電壓信號線路設(shè)計，具備3.3V的反向工作電壓（VRWM）和4A的峰值脈沖電流（IPP）承受能力，可有效抑制靜電放電及瞬態(tài)浪涌。其結(jié)電容低至0.25pF，對高速信號完整性影響極小，適用于高頻數(shù)據(jù)傳輸接口。單通道結(jié)構(gòu)便于集成于緊湊型電路布局，雙向特性可應(yīng)對正負(fù)向瞬態(tài)電壓沖擊。常用于消費類電子設(shè)備中的USB、HDMI、音頻及射頻等敏感線路，為高精度模擬與高速數(shù)字電路提供可靠防護(hù)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC3V3B1GF-C_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤 參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:0.25pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：15000/圓盤參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:3.3V 參數(shù)3：CJ:0.25pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價：歡迎咨詢