HXY25N04D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:25A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:18mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具有40V的漏源電壓（VDSS）和25A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為18mΩ。較低的RDON有助于減少導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。該器件適用于中等電壓功率開關應用，可用于DC-DC電源轉換模塊、電機驅動電路以及電池供電系統的電源管理單元。其性能特點適合對效率和熱穩定性有一定要求的電路設計，常用于便攜式設備、消費類電子產品及通用電源控制場合，作為高效的開關元件使用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY25N04D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:25A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:18mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:25A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:18mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢