BZT52B18S_SOD-323_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-323 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:5A 參數(shù)2：VR:18V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該穩(wěn)壓二極管具有18V的反向擊穿電壓（VR），適用于需要精確電壓基準與穩(wěn)定調(diào)節(jié)的電路。其正向?qū)娏鳎↖F）可達5A，配合僅0.1V的正向壓降（VF），有效降低導通損耗，提升能效。在非導通狀態(tài)下，反向漏電流（IR）低至0.9μA，保證了良好的阻斷特性。器件最大耗散功率（PD）為0.2W，適合在空間受限的高密度電子設備中應用，如便攜式電源模塊、消費類電子產(chǎn)品及小型化信號處理電路，實現(xiàn)可靠的電壓鉗位、過壓防護與直流穩(wěn)壓功能，確保系統(tǒng)在電壓波動中的穩(wěn)定運行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BZT52B18S_SOD-323_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-323 類別：穩(wěn)壓二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:5A 參數(shù)2：VR:18V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-323 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:5A 參數(shù)2：VR:18V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標價：歡迎咨詢