HXYS49N65MPI_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:49A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該碳化硅N溝道場效應管具有650V的漏源電壓VDSS和49A的連續漏極電流ID，導通電阻RDON低至33mΩ，有效降低導通損耗，提升系統效率。基于碳化硅材料的優異特性，器件具備更高的開關頻率與耐溫能力，適用于高功率密度電源系統。其主要應用于高效直流電源轉換、高壓開關電源、儲能系統能量變換、可再生能源發電模塊及高性能電源適配器等場景，能夠滿足對能效、熱管理與空間利用率有較高要求的電路設計需求，是實現高頻、高效功率轉換的關鍵元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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聯系電話：18929373249
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HXYS49N65MPI_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:49A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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