<blockquote id="y1r4z"></blockquote>
      

        • <blockquote id="y1r4z"><progress id="y1r4z"></progress></blockquote>
        

              • 
日韩成人无码毛片,中文字幕一区二区三区擦澡,jizz免费,www.com黄色,多p在线观看,69国产,探花无码,上海集散中心旅游官网订票 

        


 
    




              
    
              
        
              歡迎訪問深圳市中小企業公共服務平臺電子信息窗口
              
        
    
              

              





              
    
    

              

    


    
              
        
    
              
    
              
        
              
            
              
                
              
                    
              
                        
                        
                    
              
                    
              
                        
              HXYS18N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:18A
                                                        參數2：VDSS:1200V
                                                        參數3：RDON:160mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
                            分享到
                            
                            
                            
                        
              
                    
              
                
              
                
              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅場效應管額定漏源電壓（VDSS）為1200V，連續漏極電流達18A，導通電阻（RDS(on)）為160mΩ，在20V柵源電壓下可充分導通。基于碳化硅半導體材料，具備優異的高溫工作能力與高壓阻斷特性，支持高頻開關操作。適用于高效率功率因數校正電路、高壓直流變換模塊、可再生能源發電逆變裝置及大功率開關電源，能有效降低導通與開關損耗，提升系統整體能效，尤其適合對熱管理與電氣穩定性要求較高的緊湊型電力電子設備。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式