HXYT30N135MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):30A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1350V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.65V 參數4：二極管正向電流(IF):30A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該IGBT模塊具備30A的集電極電流承載能力，集射極擊穿電壓高達1350V，適用于高電壓與大功率轉換場合。其集射極飽和電壓為1.65V，在額定工況下導通損耗較低，有助于提升系統能效。內置反并聯二極管具有30A正向電流能力，正向壓降為1.85V，可有效支持續流需求。器件適用于開關電源、逆變裝置、電機驅動以及能量回饋系統中的功率控制，能夠在高頻開關與大電流條件下穩定工作，滿足對熱穩定性與電氣可靠性要求較高的應用設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT30N135MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):30A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1350V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.65V 參數4：二極管正向電流(IF):30A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):30A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):1350V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.65V 參數4：二極管正向電流(IF):30A 標價：歡迎咨詢