HXYG70N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具有100V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中高功率開關場景。其連續(xù)漏極電流可達70A，導通電阻低至8.2mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)效率。低RDON特性使其在大電流應用中具備良好的熱穩(wěn)定性。該器件適用于高效率電源轉換、直流電機驅動、同步整流以及負載開關等電路，滿足對功率密度和能效有較高要求的設計需求，是理想的中壓功率開關解決方案。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYG70N10D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數1：ID:70A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:8.2mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢