HXYS78N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:78A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：VGS:18V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有1200V的高漏源擊穿電壓（VDSS）和78A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至40mΩ，支持最高18V的柵源電壓（VGS）。基于碳化硅材料的特性，器件具備優(yōu)異的耐壓性能和導(dǎo)通效率，適用于高功率密度的開關(guān)電源、直流變換器及高壓逆變電路。其快速開關(guān)特性有助于減少能量損耗，提升系統(tǒng)整體能效，適合在高頻、高溫等嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定運行，是高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS78N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:78A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：VGS:18V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:78A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：VGS:18V 標(biāo)價：歡迎咨詢