MMSZ5256B_SOD-123_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:30V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.85uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該穩(wěn)壓二極管的標(biāo)稱穩(wěn)壓值（VR）為30V，可在反向擊穿區(qū)穩(wěn)定工作，提供精確的電壓基準(zhǔn)。其正向最大電流（IF）達(dá)2A，正向壓降（VF）為0.1V，具備較低的導(dǎo)通損耗。反向漏電流（IR）典型值為0.85μA，表現(xiàn)出良好的阻斷特性，有助于提升電路能效。器件額定功率（PD）為0.5W，適用于中等功率場景。常用于電源電路中的過壓保護(hù)、電壓箝位及參考電壓生成，廣泛應(yīng)用于通信模塊、消費類電子設(shè)備和便攜式儀器的穩(wěn)壓與保護(hù)單元。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MMSZ5256B_SOD-123_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:30V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.85uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:30V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.85uA 標(biāo)價：歡迎咨詢