HXYT75N120MPI_TO-247P-4L_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247P-4L 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：集電極電流(Ic):75A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.91V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):75A 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

該IGBT模塊額定集電極電流為75A，集射極擊穿電壓達1200V，適用于高電壓開關應用。其集射極飽和電壓為1.91V，內置反并聯(lián)二極管具備75A正向電流能力，正向壓降為1.8V，可有效支持續(xù)流與能量回饋。器件在高耐壓條件下具備穩(wěn)定的電流切換性能，適用于高壓逆變、直流電源轉換及大功率電力調節(jié)系統(tǒng)，能夠滿足對電壓安全裕度和長期運行可靠性要求較高的電路設計需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014