HXYS3N150PF_TO-3PF_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3PF 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:3.7A 參數(shù)2：VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有1500V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于高電壓開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻（RDON）為1000mΩ，在同類(lèi)器件中具備良好的導(dǎo)通特性。連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)3.7A，支持較高功率負(fù)載的穩(wěn)定運(yùn)行。器件結(jié)合高電壓耐受與可靠導(dǎo)通性能，適用于電源轉(zhuǎn)換、高壓直流控制及功率調(diào)節(jié)等電路，作為開(kāi)關(guān)元件用于各類(lèi)高效率、高可靠性要求的電子設(shè)備中，滿足對(duì)小型化與高性能兼顧的設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXYS3N150PF_TO-3PF_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3PF 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:3.7A 參數(shù)2：VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3PF 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:3.7A 參數(shù)2：VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢