HESDUC3V3U1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.4pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該單向TVS二極管具有3.3V的反向工作電壓（VRWM），可承受4A的峰值脈沖電流（IPP），結電容低至0.4pF，適用于單通道信號線路保護。其超低結電容特性對高頻信號傳輸影響極小，能有效抑制靜電放電及瞬態電壓沖擊，同時避免信號失真。常用于高速數據接口、射頻電路、便攜式電子設備的敏感信號線防護，適用于對信號完整性和響應速度要求較高的應用場景，確保低電壓工作電路在復雜電磁環境下的持續穩定運行。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC3V3U1AF-A_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.4pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:4A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.4pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢