HXY30G20NF_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:16A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該場效應管為NP溝道組合型器件，具備16A的漏極電流（ID）和30V的漏源耐壓（VDSS），適用于中低電壓功率切換應用。其導通電阻低至14mΩ（RDON），可有效降低導通損耗，提高電源轉換效率。柵源電壓范圍達±20V（VGS），具備良好的驅動兼容性與穩定性。N溝道與P溝道集成結構支持對稱開關控制與雙向電流管理，常用于同步整流、電源路徑切換、電池供電設備的電源管理模塊以及高性能DC-DC變換電路，適合對能效和封裝密度有要求的設計場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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聯系電話：18929373249
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HXY30G20NF_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:16A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:16A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢