HXY20P80GNF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:18V 參數3：RDON:3.4mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該P溝道場效應管（MOSFET）具有18V漏源電壓（VDSS）和高達80A的連續漏極電流（ID），適用于大電流開關應用。其導通電阻低至3.4mΩ（RDON），顯著降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓為12V，兼容常規驅動電路。由于其高電流承載能力和極低的RDON，適合用于同步整流模塊、高性能電源轉換器、電池供電設備中的功率開關以及負載切換電路。器件在有限空間內實現高效熱管理，適用于對功率密度和能效要求較高的緊湊型電子設備電源架構設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY20P80GNF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:18V 參數3：RDON:3.4mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:18V 參數3：RDON:3.4mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢