HXYS49N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:49A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源擊穿電壓，連續漏極電流可達49A，導通電阻低至33mΩ，適用于高效率功率轉換設計。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的開關性能與高溫工作能力，可有效降低系統能量損耗。廣泛用于高密度電源、可再生能源逆變裝置及高性能電力變換設備中，適合對熱管理與電氣性能有嚴苛要求的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS49N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:49A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:49A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢