HXYS29N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:29A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓額定值，連續漏極電流為29A，導通電阻為60mΩ，在15V柵源電壓下可實現穩定驅動。依托碳化硅材料優勢，器件具備低開關損耗與優異的高溫工作性能，適用于高頻、高效率的電力轉換電路。典型應用涵蓋通信電源、服務器電源模塊、光伏逆變單元及高功率密度DC-DC變換器，適合對熱管理、能效和系統可靠性有較高要求的電力電子設計場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXYS29N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:29A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:29A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢