HXYS125N120Q_SOT-227_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：12/管裝參數(shù)1：ID:125A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源擊穿電壓，可持續(xù)通過125A的漏極電流，導通電阻低至15毫歐。得益于碳化硅材料優(yōu)異的物理特性，器件具有出色的耐壓能力與導通性能，開關速度快，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、高效的能量轉(zhuǎn)換。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，在高壓直流變換、逆變輸出及功率因數(shù)校正等電路中表現(xiàn)出較低的損耗與較高的熱穩(wěn)定性，可提升整體系統(tǒng)能效與可靠性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS125N120Q_SOT-227_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：12/管裝 參數(shù)1：ID:125A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-227 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：12/管裝參數(shù)1：ID:125A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢