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              HXYS68N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:68A
                                                        參數2：VDSS:1200V
                                                        參數3：RDON:40mR
                                                        參數4：TYPE:N-ch
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該碳化硅場效應管為N溝道增強型器件，具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和68A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至40mΩ。采用碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性、高擊穿場強和低開關損耗特性，適用于高電壓、高功率密度的電力電子系統。典型應用涵蓋大功率DC-DC變換器、不間斷電源（UPS）、儲能系統中的功率轉換模塊、光伏逆變器以及對能效和散熱要求較高的高頻電源設計，有助于提升系統效率并減少外圍元件體積。
                              
              
            
              
            
              
                
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