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              HXY3020GD_TO-252-4L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-252-4L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：2500/圓盤
                                                        參數1：ID:20A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:18mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該場效應管采用NP溝道設計，具備20A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于中等功率電源管理場景。其導通電阻低至18mΩ（RDON），有助于減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓最大支持±20V（VGS），具備較好的驅動兼容性。N溝道與P溝道集成設計便于實現雙向控制與互補開關功能，適用于直流-直流轉換、負載開關、電源冗余及便攜式設備中的電源管理電路，滿足對空間與效率有要求的應用需求。
                              
              
            
              
            
              
                
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