HXY4N50P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:4.5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1200mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30V的柵源電壓（VGS），持續漏極電流為4.5A，導通電阻為1200mΩ。較高的電壓耐受能力使其適用于高壓開關場景，能夠穩定工作在較高的直流電壓環境下。器件在電源管理電路中常用于實現高效的開關控制，典型應用包括開關模式電源、DC-AC逆變器、LED照明驅動電源以及高電壓降壓轉換電路，適合對電氣隔離與工作穩定性有一定要求的中功率電子系統設計。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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HXY4N50P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:4.5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1200mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢

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