HXYS5N170MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:5A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:1000mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道碳化硅場效應管具有1700V的漏源電壓（VDSS），適用于高電壓隔離與功率轉換應用。其導通電阻（RDON）為1000mΩ，在同類小電流器件中具備良好的導通性能。連續漏極電流（ID）為5A，適合中等功率級別的電路設計。柵源電壓范圍±20V，兼容主流驅動電路。基于碳化硅材料的特性，該器件表現出優異的耐壓能力與開關速度，常用于高壓電源系統、高效能DC-DC變換器、可再生能源發電設備中的功率調節模塊以及對體積和效率有要求的緊湊型電力電子裝置。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS5N170MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:1000mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:5A 參數2：VDSS:1700V 參數3：RDON:1000mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢