HESDUC3V3B1GF-A_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:8A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.35pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該TVS二極管為單通道雙向設計，反向工作電壓（VRWM）為3.3V，適用于低電壓信號線路的過壓防護。其結電容低至0.35pF，可最大限度減少對高速信號完整性的影響，確保數據傳輸穩定性。器件能承受8A的峰值脈沖電流（IPP），具備優異的瞬態浪涌吸收能力。雙向（Bi）結構可對正負極性瞬態電壓提供對稱保護，適用于USB接口、音頻線路、傳感器信號線等對ESD敏感的便攜式電子設備電路保護。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC3V3B1GF-A_DFN0603-2L_靜電和浪涌保護(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數1：IPP:8A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.35pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN0603-2L 類別：靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數1：IPP:8A 參數2：VRWM:3.3V 參數3：CJ:0.35pF 參數4：LINE:1-channel 標價：歡迎咨詢