HXYT40N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):40A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):40A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該IGBT具備650V集射極擊穿電壓（Vces），可承受較高電壓應力，適用于中高功率開關應用。在導通狀態下，集電極電流（Ic）可達40A，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗。內置反并聯二極管，正向電流（If）同樣為40A，正向壓降（Vf）1.8V，支持高效續流功能。器件適用于高頻逆變、開關電源、電機驅動等電力電子電路，作為核心開關元件，實現電能的精確控制與高效轉換，滿足對功率密度與系統效率有要求的設備設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT40N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):40A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):40A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):40A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):40A 標價：歡迎咨詢