HXY3401BMI_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:4.2A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:41mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該P(yáng)溝道場效應(yīng)管具有30V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），連續(xù)漏極電流可達(dá)4.2A，導(dǎo)通電阻低至41mΩ。低RDON有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率。適用于各類直流電源管理電路、負(fù)載開關(guān)控制及電池供電設(shè)備中的功率切換應(yīng)用。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適合在緊湊型電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效的反向電流阻斷與電源路徑管理，滿足高性能數(shù)字系統(tǒng)對電源模塊小型化與低功耗的設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY3401BMI_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:4.2A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:41mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:4.2A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:41mR 參數(shù)4：VGS:12V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢