HXY1216BF_DFN2X2B-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2B-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:16A 參數2：VDSS:15V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這是一款P溝道場效應管，具有15V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中低電壓開關場景。其連續漏極電流（ID）可達16A，導通電阻（RDON）低至11mΩ，有助于減少導通損耗，提升系統效率。低RDON特性使其在大電流應用中發熱量較小，工作穩定。該器件適用于電源管理、電池供電設備、負載開關以及各類直流電源控制電路，適合對導通損耗敏感的高效率設計需求，是理想的功率開關選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXY1216BF_DFN2X2B-6L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2B-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:16A 參數2：VDSS:15V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2B-6L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:16A 參數2：VDSS:15V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢