BZT52B51_SOD-123_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:51V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該穩(wěn)壓二極管具有51V的穩(wěn)定反向擊穿電壓（VR），在正常工作條件下可承受最大0.5W的功率耗散（PD）。其正向導通電流（IF）可達2A，正向導通壓降（VF）僅為0.1V，表現(xiàn)出優(yōu)異的導通特性。在反向截止狀態(tài)下，漏電流（IR）低至0.9μA，確保了高阻態(tài)下的低功耗與穩(wěn)定性。該器件適用于需要精確電壓鉗位、浪涌保護及信號電平穩(wěn)定的電路設計，常用于電源管理模塊、通信設備及精密電子裝置中，為敏感電路提供可靠的電壓基準與過壓防護。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BZT52B51_SOD-123_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:51V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:51V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標價：歡迎咨詢